8月18日晚，上交所受理瑞能半导体科技股份有限公司（简称“瑞能半导”）科创板上市申请。此次公司拟募资6.73亿元投向C-MOS/IGBT-IPM产品平台建设项目、南昌实验室扩容项目、研发中心建设项目，以及发展与科技储备资金。
瑞能半导表示，公司以加速实现国产替代为己任，未来将进一步完善全系列晶闸管和功率二极管器件的研发，开展新一代碳化硅半导体芯片及器件的研发，积极推进以MOSFET和IGBT为代表的功率半导体器件的研发和生产。
知名客户云集
招股书申报稿显示，瑞能半导主要从事功率半导体器件的研发、生产和销售，是一家拥有芯片设计、晶圆制造、封装设计的一体化经营功率半导体企业，致力于开发并生产领先的功率半导体器件组合。公司主要产品包括晶闸管和功率二极管等，广泛应用于以家电为代表的消费电子、以通信电源为代表的工业制造、新能源及汽车等领域。
瑞能半导是半导体产业细分赛道的“领跑者”。根据IHS Markit报告的市场统计，2019年度公司晶闸管产品的市场占有率在国内排名第一、全球排名第二。根据WSTS协会报告的市场统计，2019年度公司晶闸管产品的全球市场占有率为21.8%，中国市场占有率达36.2%；2019年度公司功率二极管产品的全球市场占有率为2.6%，中国市场占有率达7.5%。
目前公司已在全球市场锁定了一群知名客户。其中，以家电为代表的消费电子领域用户包括惠而浦、伊莱克斯、惠普、海尔、美的、格力、海信、三星、LG、索尼、日立、佳能、飞利浦、松下、戴尔等；以通信电源为代表的工业制造领域用户包括台达、ABB、施耐德、霍尼韦尔、通用电气、科士达、英威腾、麦格米特、光宝、伟创力、立维腾等；新能源及汽车领域用户包括海拉电子、特锐德、上能电气、中恒电气、博世、NAPINO、HERO、TVS Motor等。
作为一家在功率半导体行业具有优势地位的企业，瑞能半导以加速实现国产替代为己任，部分产品和制造技术填补了国内行业空白。公司通过持续的研发投入和技术积累，形成了一系列富有市场竞争力的产品，同时积极推进IGBT和碳化硅功率器件等第三代半导体材料器件的研发和生产，为未来稳健成长提供了强有力的保障支撑。此外，公司拥有一支富有经验的研发队伍，骨干成员均具备10年以上从事功率半导体器件的研发设计经验，研发团队能将公司技术有效转化成产品，实现可持续经营发展。
研发投入渐增
财务数据显示，2017年至2019年及2020年1-3月（简称“报告期内”），瑞能半导实现营业收入分别为6.19亿元、6.67亿元、5.88亿元和1.40亿元；实现净利润分别为8775.98万元、9493.04万元、8610.88万元和1898.70万元。
在研发方面，瑞能半导报告期内的研发费用逐步增长，分别为2450.96万元、2363.82万元、3214.54万元和687.75万元；研发费率分别为3.96%、3.54%、5.47%和4.90%。目前，瑞能半导及其子公司持有境内专利共22项，其中发明专利5项、实用新型专利17项，境外专利4项。
报告期内，公司主营业务的综合毛利率分别为43.59%、42.30%、45.20%和40.80%，存在一定波动。公司表示，公司主营业务包括晶闸管、功率二极管等产品，不同产品的毛利率存在差异，报告期内公司综合毛利率因产品收入结构变化存在一定波动。公司提示称，未来随着公司的快速发展，公司业务规模将进一步扩大，产品种类将持续增多，如果公司根据自身的发展战略调整产品结构，公司的综合毛利率仍存在波动的风险。
在应收账款方面，公司称，报告期内，公司的应收账款账面价值分别为12627.26万元、8641.67万元、6214.39万元及3299.25万元，占营业收入的比例分别为20.41%、12.96%、10.57%和23.49%，占比相对较高。
公司表示，公司报告期内直接客户主要为半导体领域全球知名经销商，终端客户主要为全球知名企业，商业信誉良好，且公司已按照审慎的原则计提了坏账准备，如果公司未来有大量应收账款不能及时收回，将形成较大的坏账损失，从而对公司经营业绩造成一定的不利影响。
截至目前，瑞能半导尚无实际控制人。从股权结构来看，本次发行前，瑞能半导的重要股东南昌建恩、北京广盟、天津瑞芯直接持有公司71.44%的股份，建广资产作为上述三家合伙企业的执行事务合伙人，有权以前三大股东名义在公司股东（大）会层面行使71.44%的股东表决权，为公司间接控股股东。然而，建广资产的任一股东对其董事会及日常经营管理均无单独决策权，因此建广资产无实际控制人，进而导致瑞能半导无实际控制人。
市场空间广阔
功率半导体器件作为国家战略性新兴产业，伴随着电力的运用而诞生，并随着社会电气化程度的加深而发展，国家给予了高度重视和支持。然而，功率半导体器件领域长期被欧美日企业垄断，各类功率半导体器件的国产化率处于较低水平，国内功率半导体企业的市场占有率相对较低。分析人士认为，未来，中国功率半导体产业自主可控的需求将日益突出，进口替代空间巨大。
本次冲刺科创板，瑞能半导拟募集资金6.73亿元，投向C-MOS/IGBT-IPM产品平台建设项目、南昌实验室扩容项目、研发中心建设项目以及发展与科技储备资金。
其中，C-MOS/IGBT-IPM产品平台建设项目围绕功率半导体领域，规划建设硅基MOSFET、IGBT/IPM功率器件产品平台。本项目实施后，产品将广泛应用于新能源汽车、新能源光伏、工业制造、通信电源等领域。
南昌实验室扩容项目在瑞能半导现有南昌实验室的基础上进行扩容建设，通过增加可靠性测试和失效性分析相关的检测分析设备投入，优化实验环境，提升测试与分析的能力和效率，从而进一步保障产品质量、吸引高端人才，促进业务高质量发展。
研发中心新建项目依托公司在功率半导体领域的技术优势，布局碳化硅功率器件等功率半导体行业内的新技术领域，通过引进高技术人才、增加与外部机构研发合作等方式，进一步加强公司研发团队及研发平台的实力，以保持公司产品在核心技术方面的优势地位，为公司业务中长期的可持续发展奠定基础。
此外，瑞能半导还拟使用3亿元募集资金，用于发展与科技储备资金。本次发展与科技储备资金将结合公司的经营需要和战略规划的资金需求，以提升公司的竞争力。