中证网讯（记者 吴科任）华虹半导体（01347.HK）7月20日发布消息称，公司95纳米SONOS嵌入式非易失性存储器（eNVM，Embedded Non-VolatileMemory）工艺平台通过不断的创新升级，技术优势进一步增强，可靠性相应大幅提升。
公司介绍，95纳米SONOS eNVM工艺技术广泛应用于微控制器（MCU）、物联网等领域，具有稳定性好、可靠性高、功耗低等优点。相对上一代技术，95纳米SONOS eNVM 5V工艺实现了更小设计规则，获得了同类产品芯片面积的缩小；逻辑部分芯片门密度较现有业界同类工艺提升超过40%，达到业界领先水平；所需光罩层数较少，能够提供更具成本效益的解决方案。同时，95纳米SONOS eNVM 5V工艺具有更高集成度和领先的器件性能，存储介质擦/写特性达到了2毫秒的先进水平；低功耗器件驱动能力提高20%，仅用5V器件可以覆盖1.7V至5.5V的宽电压应用。
华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示：“在‘8英寸+12 英寸’战略定位的指引下，公司在8英寸平台上，通过缩小存储单元IP面积、减少光罩层数等方式来进一步强化嵌入式闪存技术工艺；同时，我们发挥12英寸平台更小线宽特性，打造高性能的嵌入式非易失性存储器工艺技术平台，在巩固智能卡芯片制造领航者地位的同时，满足物联网、MCU、汽车电子等高增长的市场需求。”
